证券之星消息,根据天眼查APP数据显示宏微科技(688711)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种二极管及其制作方法”,专利申请号为CN202011554045.5,授权日为2025年2月25日。
专利摘要:本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种二极管及其制作方法,所述二极管包括N基体、有源区P+层和多个mos结构,N基体上形成有有源区P+层,有源区P+层内设有多个mos结构,有源区P+层上设有阳极金属,mos结构包括沟槽,沟槽内形成有栅氧化层和多晶硅,沟槽外设有与阳极金属电连接的N+层,沟槽上设有绝缘介质层以隔开多晶硅和阳极金属,当二极管施加反向电压增大时,多晶硅施加开启电压,沟槽外形成导电沟道,导电沟道与二极管内的空间电荷区连接,二极管内形成反向电流。本发明提供的一种二极管,能够在一定反向电压范围内具有特定反向电流能力,并且该二极管的雪崩耐量能力远远超过普通二极管。
今年以来宏微科技新获得专利授权1个,与去年同期持平。结合公司2024年中报财务数据,2024上半年公司在研发方面投入了5390.84万元,同比增6.78%。
数据来源:天眼查APP
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